Фотадыёд Si PIN 1064 нм Прадстаўленая выява

1064 нм Si PIN фотадыёд

Мадэль: GT102Ф0.2/ GT102Ф0.5/ GT102Ф1/ GT102Ф2/ GT102Ф4/ GD3310Y/ GD3217Y

Кароткае апісанне:

Гэта фотадыёд Si PIN, які працуе пры адваротным зрушэнні і забяспечвае высокую адчувальнасць у дыяпазоне ад УФ да БЛІК.Пікавая даўжыня хвалі водгуку складае 980 нм.Спагадлівасць: 0,3 А/Вт пры 1064 нм.

атрымаць цытату Спампаваць

Тэхнічны параметр

Тэгі прадукту

Асаблівасці

Канструкцыя з пярэдняй падсветкай
Слабае цемнавае цячэнне
Высокі водгук
Высокая надзейнасць

Прыкладанні

Аптычна-валаконная сувязь, зандзіраванне і вызначэнне адлегласці
Аптычнае выяўленне ад ультрафіялету да блізкага інфаркту
Хуткае выяўленне аптычнага імпульсу
Сістэмы кіравання для прамысловасці

Фотаэлектрычны параметр（@Ta=25℃）

Пункт #	Катэгорыя ўпакоўкі	Дыяметр святлоадчувальнай паверхні (мм)	Спектральны дыяпазон водгуку (нм)	Пікавая даўжыня хвалі водгуку (нм)	Спагадлівасць (A/W) λ = 1064 нм	Час нарастання λ = 1064 нм V_R=40В R_L=50Ω(нс)	Цёмная плынь V_R=40В (нА)	Ёмістасць пераходу V_R=40В f=1 МГц (пФ)	Напружанне прабоя （V）
ГТ102Ф0,2	Кааксіяльны тып II,5501,TO-46 Тып штэкера	Ф0,2	4～1100	980	0,3	10	0,5	0,5	100
ГТ102Ф0,5		Ф0,5				10	1.0	0,8
ГТ102Ф1		Ф1.0				12	2.0	2.0
ГТ102Ф2	ДА-5	Ф2.0				12	3.0	5.0
ГТ102Ф4	ДА-8	Ф4.0				20	5.0	12.0
GD3310Y	ДА-8	Ф8,0				30	15	50
GD3217Y	ДА-20	Ф10,0				50	20	70