Фабрыка дэтэктараў, пастаўшчыкі - Кітайскія вытворцы дэтэктараў

355 нм APD

Гэта лавінны фотадыёд Si з вялікай святлоадчувальнай паверхняй і ўзмоцненым ультрафіялетам.Ён забяспечвае высокую адчувальнасць у дыяпазоне ад ультрафіялету да блізкага інфаркту.

ЗАПЫТ дэталь
800 нм APD

Менавіта лавінны фотадыёд Si забяспечвае высокую адчувальнасць у дыяпазоне ад ультрафіялету да блізкага інфаркта.Пікавая даўжыня хвалі водгуку складае 800 нм.

ЗАПЫТ дэталь
905 нм APD

Менавіта лавінны фотадыёд Si забяспечвае высокую адчувальнасць у дыяпазоне ад ультрафіялету да блізкага інфаркта.Пікавая даўжыня хвалі водгуку складае 905 нм.

ЗАПЫТ дэталь
1064 нм APD

Менавіта лавінны фотадыёд Si забяспечвае высокую адчувальнасць у дыяпазоне ад ультрафіялету да блізкага інфаркта.Пікавая даўжыня хвалі водгуку складае 1064 нм.Спагадлівасць: 36 А/Вт пры 1064 нм.

ЗАПЫТ дэталь
Модулі APD 1064 нм

Гэта палепшаны модуль лавіннага фотадыёда Si са схемай папярэдняга ўзмацнення, які дазваляе ўзмацняць сігнал слабога току і пераўтвараць яго ў сігнал напружання, каб дасягнуць працэсу пераўтварэння ўзмацнення фатоннага фотаэлектрычнага сігналу.

ЗАПЫТ дэталь
Модулі APD InGaAs

Гэта модуль лавіннага фотадыёда з арсеніду індыя і галію са ланцугом папярэдняга ўзмацнення, які дазваляе ўзмацняць сігнал слабога току і пераўтвараць яго ў сігнал напружання для дасягнення працэсу пераўтварэння ўзмацнення фатоннага фотаэлектрычнага сігналу.

ЗАПЫТ дэталь
Чатырохквадрантны APD

Ён складаецца з чатырох аднолькавых блокаў лавіннага фотадыёда Si, які забяспечвае высокую адчувальнасць у дыяпазоне ад ультрафіялету да блізкага інфрадыё.Пікавая даўжыня хвалі водгуку складае 980 нм.Спагадлівасць: 40 А/Вт пры 1064 нм.

ЗАПЫТ дэталь
Модулі APD з чатырох квадрантаў

Ён складаецца з чатырох аднолькавых блокаў лавіннага фотадыёда Si са ланцугом папярэдняга ўзмацнення, які дазваляе ўзмацняць сігнал слабога току і пераўтвараць яго ў сігнал напружання для дасягнення працэсу пераўтварэння ўзмацнення фатоннага фотаэлектрычнага сігналу.

ЗАПЫТ дэталь
850 нм Si PIN-модулі

Гэта 850-нм фотадыёдны модуль Si PIN са ланцугом папярэдняга ўзмацнення, які дазваляе ўзмацняць сігнал слабога току і пераўтвараць яго ў сігнал напружання для дасягнення працэсу пераўтварэння ўзмацнення фатоннага фотаэлектрычнага сігналу.

ЗАПЫТ дэталь
900 нм Si PIN фотадыёд

Гэта фотадыёд Si PIN, які працуе пры адваротным зрушэнні і забяспечвае высокую адчувальнасць у дыяпазоне ад УФ да БЛІК.Пікавая даўжыня хвалі водгуку складае 930 нм.

ЗАПЫТ дэталь
1064 нм Si PIN фотадыёд

Гэта фотадыёд Si PIN, які працуе пры адваротным зрушэнні і забяспечвае высокую адчувальнасць у дыяпазоне ад УФ да БЛІК.Пікавая даўжыня хвалі водгуку складае 980 нм.Спагадлівасць: 0,3 А/Вт пры 1064 нм.

ЗАПЫТ дэталь
Модулі Fiber Si PIN

Аптычны сігнал пераўтворыцца ў сігнал току шляхам уводу аптычнага валакна.Модуль Si PIN мае ланцуг папярэдняга ўзмацнення, які дазваляе ўзмацняць слабы сігнал току і пераўтвараць яго ў сігнал напружання, каб дасягнуць працэсу пераўтварэння ўзмацнення фатоннага фотаэлектрычнага сігналу.

ЗАПЫТ дэталь