850 нм Si PIN-модулі

Мадэль: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

Кароткае апісанне:

Гэта 850-нм фотадыёдны модуль Si PIN са ланцугом папярэдняга ўзмацнення, які дазваляе ўзмацняць сігнал слабога току і пераўтвараць яго ў сігнал напружання для дасягнення працэсу пераўтварэння ўзмацнення фатоннага фотаэлектрычнага сігналу.

атрымаць цытату Спампаваць

Тэхнічны параметр

Тэгі прадукту

Асаблівасці

Высакахуткасны водгук
Высокая адчувальнасць

Прыкладанні

Лазерны засцерагальнік

Фотаэлектрычны параметр（@Ta=22±3℃）

Пункт #	Катэгорыя ўпакоўкі	Дыяметр святлоадчувальнай паверхні (мм)	Спагадлівасць	Час нарастання (нс)	Дынамічны дыяпазон （дБ）	Працоўнае напружанне (V)	Напружанне шуму (мВ)	Заўвагі
Пункт #	Катэгорыя ўпакоўкі	Дыяметр святлоадчувальнай паверхні (мм)	λ = 850 нм, φ_e=1 мкВт		λ=850 нм	Працоўнае напружанне (V)	Напружанне шуму (мВ)	Заўвагі
GD4213Y	ДА-8	2	110	12	20	±5±0,3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0,3	40	(Вугал падзення: 0°, каэфіцыент прапускання 830 нм ~ 910 нм ≥90%
GD4251Y-A		10×1,5	130	18	20	±6±0,3	40
GD42121Y		10×0,95	110	20	20	±5±0,1	25
Заўвагі: выпрабавальная нагрузка GD4213Y складае 50 Ом, астатнія 1 МОм.